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CY62158EV30LL-45ZSXIT 发布时间 时间:2025/11/4 5:28:34 查看 阅读:13

CY62158EV30LL-45ZSXIT 是由 Cypress Semiconductor(现属于 Infineon Technologies)生产的一款高速 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于 Cypress 的 62158 系列,是一款 8 Mbit(512 K × 16)的低功耗、高性能异步 SRAM,采用 55nm 工艺制造,专为需要高可靠性和稳定数据保持的应用而设计。该芯片支持 3.3V 单电源供电,具有灵活的片选控制和双向数据总线,适用于多种嵌入式系统和工业应用。其封装形式为 56 引脚 SOIC(Small Outline Integrated Circuit),型号后缀中的 'LL' 表示低功耗版本,'45' 表示最大访问时间为 45 纳秒,适合对速度有较高要求的应用场景。CY62158EV30LL-45ZSXIT 具备优异的抗干扰能力和宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C),满足工业级应用标准。此外,该器件符合 RoHS 环保要求,适用于绿色电子产品设计。由于其高集成度、稳定性和快速响应能力,CY62158EV30LL-45ZSXIT 被广泛应用于通信设备、网络路由器、工业控制器、医疗设备以及测试测量仪器等领域。

参数

存储容量:8 Mbit (512K x 16)
  电压范围:2.7V 至 3.6V
  最大访问时间:45 ns
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:56-pin SOIC (LL)
  组织结构:512K x 16
  输入/输出逻辑电平:LVTTL 兼容
  待机电流:典型值 10 μA
  工作电流:典型值 35 mA
  数据保持电压:最低 2.0 V
  引脚数量:56
  封装尺寸:标准 SOIC 宽体
  制造工艺:55 nm CMOS 工艺
  数据保持电流:典型值 5 μA
  写保护功能:通过 CE1/CE2 控制实现硬件写保护

特性

CY62158EV30LL-45ZSXIT 具备多项先进的电气与物理特性,确保其在复杂环境下的稳定运行。
  首先,该芯片采用 55nm CMOS 技术制造,显著降低了功耗并提升了集成密度。其低待机电流(典型值 10μA)和数据保持电流(典型值 5μA)使其非常适合电池供电或对能效敏感的应用系统。在高性能方面,45ns 的快速访问时间保证了处理器与存储器之间的高效数据交换,尤其适用于实时控制系统中频繁读写的场景。
  其次,该器件具备双片选控制(CE1 和 CE2),支持存储器阵列的逻辑使能与禁用,允许与其他外设共享地址总线,从而简化系统设计并提高总线利用率。同时,OE(输出使能)和 WE(写使能)信号提供了精确的读写时序控制,增强了系统的灵活性和可靠性。
  再者,CY62158EV30LL-45ZSXIT 支持 LVTTL 输入输出电平,能够无缝兼容多种微控制器、DSP 和 FPGA 器件,降低接口设计难度。其双向数据总线设计支持三态输出,便于多设备挂载在同一数据总线上,避免冲突。
  此外,该芯片具备出色的数据保持能力,在 VDD 降至 2.0V 时仍可维持数据不丢失,这一特性对于突发断电或电源切换的应用至关重要。工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其可在极端环境下稳定工作,广泛用于户外通信基站、轨道交通控制系统等严苛场合。
  最后,该器件采用无铅、绿色环保封装,符合 RoHS 和 WEEE 指令要求,并经过严格的可靠性测试,包括高温老化、热循环和湿度敏感性评估,确保长期使用的稳定性与耐久性。

应用

CY62158EV30LL-45ZSXIT 广泛应用于多个高要求的电子系统领域。
  在通信基础设施中,它常被用于网络交换机、路由器和基站设备中作为缓存或帧缓冲存储器,用于临时存储数据包、配置信息或协议栈数据,其高速访问能力有效提升了数据吞吐效率。
  在工业自动化领域,该芯片适用于 PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和运动控制卡,用于存储实时采集的传感器数据、控制指令或程序变量,保障控制系统响应的及时性与准确性。
  在医疗电子设备中,如监护仪、超声成像系统和便携式诊断设备,CY62158EV30LL-45ZSXIT 可用于图像数据缓存或操作日志记录,其高可靠性和低功耗特性有助于提升设备的安全性与续航能力。
  此外,在测试与测量仪器(如示波器、频谱分析仪)中,该 SRAM 芯片承担高速采样数据的临时存储任务,确保数据采集过程不因存储瓶颈而丢失关键信号。
  航空航天与国防系统也采用此类工业级 SRAM,用于雷达信号处理、飞行控制计算机和导航系统,其宽温特性和抗干扰能力满足军规级应用需求。
  由于其标准接口和通用架构,该芯片还可作为 FPGA 或 DSP 的外部扩展存储器,弥补片内 RAM 不足的问题,广泛用于原型开发和中小批量产品设计中。

替代型号

IS61WV51216BLL-45BLI

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CY62158EV30LL-45ZSXIT参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量8M(1M x 8)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.2 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装44-TSOP II
  • 包装带卷 (TR)