型号：DMG4N65CT
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：650 V
　　最大栅源电压(VGS)：±30 V
　　最大连续漏极电流(ID)：4 A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：16 A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值1.8 Ω @ VGS = 10 V, 最大值2.2 Ω @ VGS = 10 V
　　阈值电压(VGS(th))：典型值3.0 V, 范围2.0~4.0 V
　　栅极电荷(Qg)：典型值37 nC @ VDS = 480 V, ID = 2 A
　　输入电容(Ciss)：典型值1050 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容(Coss)：典型值190 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间(trr)：典型值65 ns
　　工作结温范围(Tj)：-55 ~ +150 ℃
　　封装：TO-252 (DPAK)

DMG4N65CT的突出特性在于其高电压耐受能力与优化的动态参数相结合，使其在高压开关应用中表现优异。首先，650V的漏源击穿电压确保了器件可在整流后的标准交流电网电压下安全运行，适用于全球范围内的离网式电源设计。其次，其RDS(on)在VGS=10V时仅为2.2Ω最大值，这一低导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体转换效率，尤其在持续负载条件下优势明显。同时，该MOSFET采用了优化的晶圆制造工艺，显著减少了栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），从而加快了开关速度，减小了开关过程中的交越损耗，有利于实现高频化设计，缩小外围磁性元件体积，提升功率密度。
　　此外，DMG4N65CT具备良好的热稳定性和可靠性。TO-252封装不仅便于自动化贴装，还提供了优良的散热路径，使器件在较高环境温度下仍可稳定工作。内部结构设计兼顾了电场均匀分布与载流子迁移效率，提升了器件的抗雪崩能量能力，增强了在异常工况（如短路或过载）下的鲁棒性。体二极管的反向恢复时间较短（典型65ns），可减少反向恢复电荷（Qrr），避免因反向电流尖峰引起的电磁干扰（EMI）问题和额外损耗，特别适合在反激式变换器等存在感性回馈的拓扑中使用。
　　该器件还具备较强的抗噪声干扰能力，栅源电压容限达±30V，能够在瞬态电压波动中保持正常工作，防止误触发。其阈值电压范围适中（2.0~4.0V），兼容标准逻辑电平驱动信号，可通过PWM控制器直接驱动或配合专用门极驱动芯片使用。综合来看，DMG4N65CT在高耐压、低损耗、快响应和高可靠性之间取得了良好平衡，是中等功率电力电子系统中理想的开关元件之一。

DMG4N65CT广泛应用于各类需要高压开关功能的电源系统中。典型应用包括离线式反激变换器（Flyback Converter），用于电视机、显示器、路由器等消费类电子产品的开关电源模块中，作为主功率开关管承担能量传递任务。在LED恒流驱动电源中，该器件可用于隔离式或非隔离式拓扑结构，实现高效稳定的直流输出，满足照明系统对能效和寿命的要求。此外，在AC-DC适配器、充电器（如笔记本电脑、手机充电器）、小型UPS不间断电源及待机辅助电源（Standby SMPS）中也常见其身影，因其具备高效率和高可靠性，有助于满足能源之星等能效认证标准。
　　工业控制领域中，DMG4N65CT可用于PLC电源模块、传感器供电单元、继电器驱动电路等场合，提供稳定可靠的直流电源支持。在通信设备中，如基站电源、光网络终端（ONT）等，该MOSFET可用于构建DC-DC转换电路，将高压直流母线电压转换为系统所需的低压电源轨。由于其具备良好的EMI性能和热稳定性，也可用于环境较为严苛的户外设备供电系统。此外，在光伏逆变器的辅助电源部分、智能电表电源模块以及家用电器（如空调、洗衣机）的内部开关电源中，DMG4N65CT同样发挥着关键作用。总之，凡是涉及650V以下高压开关操作且对效率和可靠性有较高要求的应用场景，均可考虑选用此器件。

FQP4N65C
　　STP4NC65FD
　　KIA4N65
　　APT10M65LVTG