IRF550PBF是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用TO-247封装形式。该器件由Vishay公司生产,广泛应用于开关电源、电机驱动和音频功率放大器等场景。IRF550PBF具备高耐压特性,能够承受高达100V的漏源电压,并且具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,典型应用包括DC-DC转换器、逆变器和脉宽调制(PWM)电路。
这款MOSFET在高频应用中表现出色,其快速开关特性和低栅极电荷使其成为效率优先型设计的理想选择。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:23A
功耗:180W
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:65nC
总电容:240pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
IRF550PBF的关键特性包括:
1. 高击穿电压(100V),适合高压应用场景。
2. 较低的导通电阻(0.18Ω),减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度,支持高频操作。
4. 优秀的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
5. TO-247封装提供良好的散热性能,适用于高功率应用。
6. 可靠性高,使用寿命长,满足工业级标准。
IRF550PBF适用于多种电力电子设备,具体包括:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 音频功率放大器中的输出级驱动。
4. 电池充电器及逆变器的核心元件。
5. 脉宽调制(PWM)控制器中的开关组件。
6. 各类工业自动化设备中的功率转换模块。
IRF540N, IRF530, BUZ11