时间：2025/7/30 18:40:55
阅读：25
IPB029N15NM6 是英飞凌科技（Infineon Technologies）推出的一款高性能功率MOSFET器件，采用OptiMOS?技术，适用于高效率电源转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和优化的热性能，适合用于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等领域。
类型：功率MOSFET
工艺技术：OptiMOS?
最大漏极电流（Id）：80A
漏源电压（Vds）：150V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ（最大值）
封装形式：PG-HSOF-8
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
功率耗散（Ptot）：100W
IPB029N15NM6 具有优异的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，优化了载流能力和热阻，从而实现更优异的热管理能力。
此外，IPB029N15NM6 支持高频开关操作，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高电源系统的功率密度。其坚固的栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，增强了器件的可靠性和抗干扰能力。
该MOSFET还具备出色的短路耐受能力，适用于高要求的汽车电子和工业控制系统。PG-HSOF-8封装结构提供了良好的散热性能，并兼容标准表面贴装工艺，便于PCB布局和自动化生产。
IPB029N15NM6 主要应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）等。此外，该器件也广泛用于工业电源、服务器电源、电信设备、DC-DC转换器、电机驱动器以及高功率LED照明系统等高效率电源管理场合。
IPB036N15N3, IPB045N15N3, IPB054N15N3
