容量：72Mb
　　组织结构：8M x 9（8位数据位和1个奇偶校验位）
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：4.5ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：256引脚球栅阵列封装（BGA）
　　时钟频率：最大可达166MHz
　　数据输入/输出：独立的地址和数据总线
　　功耗：典型值为2.5W（在166MHz下）

GS79M72C165GB-4 SRAM芯片具有多项先进特性，使其在高性能系统中表现出色。
　　首先，该芯片具备高速访问能力，其访问时间仅为4.5ns，能够支持高达166MHz的时钟频率，满足高速数据处理的需求。
　　其次，该SRAM采用低功耗CMOS技术，在保证高性能的同时，有效降低功耗。在典型工作条件下，其功耗约为2.5W，适用于对功耗敏感的应用场景。
　　该器件采用256引脚BGA封装，提供紧凑的物理尺寸，适合高密度电路板设计，并具备良好的热性能和机械稳定性。
　　此外，GS79M72C165GB-4支持异步操作模式，允许灵活的地址和数据控制，提高系统设计的灵活性。该芯片还内置自动低功耗模式，可在不使用时显著降低功耗，延长系统运行时间。
　　最后，该SRAM芯片具有高可靠性和长寿命，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下稳定运行。

GS79M72C165GB-4 SRAM广泛应用于需要高速数据存储和访问的系统中。常见的应用包括：
　　高端网络设备，如路由器和交换机，用于临时存储数据包和转发信息。
　　工业控制系统，用于高速缓存关键数据和程序指令。
　　嵌入式系统，如高性能计算模块、测试设备和通信设备，提供快速数据存储和检索。
　　此外，该芯片也可用于图像处理、数据采集和实时控制系统等对存储性能要求较高的应用场合。

IDT71V71651SA166B、ISSI IS61WV72B8BLL166B、Cypress CY7C1372C-166B