您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SQV05C

SQV05C 发布时间 时间:2025/6/5 23:24:05 查看 阅读:7

SQV05C是一种基于硅技术制造的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等高电压领域。该器件采用N沟道增强型结构,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够有效降低能耗并提高系统效率。其封装形式通常为TO-220或TO-247,适用于大功率应用场合。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:0.22Ω
  栅极电荷:45nC
  总电容:1500pF
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

SQV05C具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力,适合高压电路设计。
  2. 极低的导通电阻,减少功率损耗。
  3. 快速开关性能,支持高频操作。
  4. 热稳定性强,在高温环境下仍能保持良好的性能。
  5. 可靠性高,经过严格的质量控制流程生产。

应用

SQV05C广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  3. 太阳能逆变器的核心开关元件。
  4. 工业自动化设备中的电源转换模块。
  5. 电动汽车充电器和电池管理系统中的关键组件。

替代型号

IRF840
  FQP13N60
  STP12NM60
  IXTP12N65L

SQV05C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SQV05C资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载