型号：LZ95N70A
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：700V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：95A
　　功耗(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-264
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.085Ω（在Vgs=10V时）

LZ95N70A具有多个显著的技术特点，使其在高功率应用中表现出色。首先，该MOSFET采用了先进的平面工艺，使得器件在高压下仍能保持较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其次，其700V的漏源击穿电压和高达95A的连续漏极电流能力，使其能够胜任高压大电流的开关任务，适用于如电源供应器、工业电机驱动和高功率DC-DC转换器等场景。
　　此外，LZ95N70A的封装形式为TO-264，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还有助于提高器件的机械强度和可靠性。TO-264封装通常具备较大的引脚间距，能够在高电压应用中提供更高的绝缘性能，降低爬电风险。
　　该器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大功耗可达300W，表明它能够在较高的功率水平下长期运行而不易发生热失效。同时，LZ95N70A的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的栅源电压，这意味着它可以与多种驱动电路兼容，增加了设计的灵活性。
　　值得一提的是，LZ95N70A具备较强的抗过载能力，可以在短时间内承受超过额定电流的负载，适用于一些负载变化较大的应用场景。这种特性使得该MOSFET在面对突发负载或启动瞬间的高电流需求时仍能保持稳定运行，不会轻易损坏。
　　总体而言，LZ95N70A是一款性能优良的高压大电流MOSFET，凭借其出色的电气特性、封装优势以及热稳定性，广泛适用于各类高功率电子设备中。

LZ95N70A由于其高压大电流特性，广泛应用于多个高功率电子系统中。首先，在开关电源（SMPS）领域，该MOSFET常用于主开关管，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，以便通过变压器进行电压变换，提高电源转换效率。
　　在电机驱动系统中，LZ95N70A可作为H桥电路中的功率开关，用于控制直流电机或无刷电机的正反转及调速。其高电流承载能力和良好的导通特性，使其能够有效地控制电机的输出功率，同时降低发热损耗。
　　该器件也常用于DC-DC转换器中，例如在升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中作为开关元件，用于调节输出电压并保持稳定。其低导通电阻有助于提高转换效率，减少能量损耗。
　　此外，LZ95N70A还可用于工业自动化设备中的功率控制模块，如变频器、伺服驱动器等，用于实现对电机、加热元件或其他大功率负载的精确控制。
　　在家用电器领域，该MOSFET可用于电磁炉、电热水器等产品中的功率控制电路，确保设备在高功率运行时的稳定性和安全性。
　　总之，LZ95N70A凭借其优异的电气性能和可靠性，成为多种高功率应用中的关键元件，广泛应用于电源、电机控制、工业自动化和消费电子等领域。

IRF840, FQA95N70, STF95N70, IXFH95N70