DEA202450BT-1275A1 是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的制造工艺,在提供高效率的同时确保了较低的导通电阻和更快的开关速度。其封装形式为TO-263(D2PAK),能够适应高电流和高散热需求的应用环境。
该器件适用于工业级应用,具有出色的稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作条件下保持良好的性能表现。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:80A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:150nC
总功耗:250W
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了高效的功率转换和较低的发热。
2. 快速的开关速度和优化的栅极电荷设计,降低了开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准,支持环保要求。
5. 提供全面的静电防护机制,提升了器件的抗干扰能力。
6. 大面积金属底板封装,提高了热传导效率,适合高功率应用场景。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 工业电机控制和驱动电路。
3. 负载切换和保护电路。
4. 太阳能逆变器中的功率模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
6. 高效DC-DC转换器的核心元件。
IRF260N
STP80NF10
IXYS IXFN80N10T2