时间：2025/9/13 23:11:38
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NX6008NBKR 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于各种中高功率应用，包括电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。NX6008NBKR 采用 TSSOP 封装（也称为 TVSOP 或小型 SOP），具有较小的封装尺寸，适合对空间要求较高的 PCB 设计。其额定电压为 60V，最大连续漏极电流可达 8A，具备良好的导通特性和开关性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：8A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：典型值为 17mΩ（Vgs=10V）
功耗(Pd)：4.8W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSSOP（8引脚）
导通延迟时间：约 8ns
上升时间：约 14ns
下降时间：约 12ns
NX6008NBKR 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度。其导通电阻仅为 17mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷较低，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
该 MOSFET 具有较高的热稳定性，支持在较高温度环境下工作。TSSOP 封装提供了良好的散热能力，同时减小了整体尺寸，非常适合用于紧凑型设计。NX6008NBKR 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态电压条件下保持稳定运行。
由于其高可靠性和良好的性能参数，NX6008NBKR 常用于电源管理模块、电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动电路中。
NX6008NBKR 广泛应用于各种电源管理和功率控制领域。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可以作为高侧或低侧开关，提供高效能的电压转换。在电池管理系统中，NX6008NBKR 可用于电池充放电控制和保护电路。
此外，该 MOSFET 也可用于负载开关电路，实现对负载的快速接通和断开控制，适用于便携式电子设备和工业控制系统。NX6008NBKR 还可用于电机驱动器和 H 桥电路，提供高效的电机控制解决方案。
在汽车电子领域，NX6008NBKR 可用于车载电源管理、LED 照明驱动以及车载充电器等应用。其高可靠性设计也使其适用于一些对稳定性要求较高的工业设备。
Si7461DP, IRF7413, FDS6680, AO4406A, IPB085N06N3G
