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MT18B103M101CT 发布时间 时间:2025/6/3 16:51:59 查看 阅读:5

MT18B103M101CT 是一款由 Micron Technology(美光科技)生产的 DDR3 SDRAM 内存芯片。该芯片属于 DDR3L 系列,采用低电压设计(1.35V),主要用于笔记本电脑、嵌入式系统和移动设备等对功耗敏感的应用场景。
  DDR3 技术通过提高数据传输速率和降低功耗来满足现代计算需求。MT18B103M101CT 提供了高密度存储容量和快速的数据访问速度,其内部结构基于先进的制程工艺,从而优化了性能与能耗的平衡。

参数

类型:DDR3L SDRAM
  容量:4Gb (512MBx8)
  组织方式:512M x 8
  电压:1.35V
  数据速率:1600Mbps
  封装形式:FBGA 78-ball
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  I/O 标准:1.35V VTT
  时钟周期:tCK=1.25ns

特性

MT18B103M101CT 的主要特性包括高速数据传输能力、低功耗设计以及强大的稳定性。
  1. 高速数据传输:支持高达 1600Mbps 的数据传输速率,能够显著提升系统的整体性能。
  2. 低功耗:运行在 1.35V 电压下,相比传统的 DDR3 芯片进一步降低了功耗,非常适合电池供电设备。
  3. 小型化封装:采用 FBGA 78 球封装,具有更小的尺寸和更高的引脚密度,适合紧凑型设计。
  4. 宽温范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的环境下正常工作,确保了在各种环境下的可靠性。
  5. 兼容性强:符合 JEDEC DDR3L 标准,易于集成到现有平台中。

应用

MT18B103M101CT 广泛应用于需要高性能内存和低功耗的场景,包括:
  1. 笔记本电脑和超极本。
  2. 嵌入式系统,例如工业控制设备和医疗设备。
  3. 智能手机和平板电脑等移动终端。
  4. 网络通信设备,如路由器和交换机。
  5. 物联网(IoT)设备,特别是那些需要大容量内存但受限于功率预算的产品。

替代型号

MT18B1G8M8HB-1G IT, MT18B1G8M8HB-1G CT

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MT18B103M101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.09973卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容10000 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-