类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.0mΩ（典型值）
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

CRTS030N04L的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），仅为3.0mΩ，这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导电性能并减少了开关损耗，从而提高了整体能效。此外，CRTS030N04L的封装设计有助于散热管理，确保在高负载下仍能保持稳定的工作温度。
　　CRTS030N04L的最大漏极电流可达100A，使其适用于需要高电流处理能力的应用场景，例如电动工具、电源供应器和工业自动化设备。其40V的漏源电压额定值提供了良好的安全裕度，适用于48V及以下的电源系统。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可兼容标准的10V栅极驱动器，同时也支持较低的栅极驱动电压（如4.5V或5V），适用于多种控制方案。这种灵活性使得CRTS030N04L能够适应不同的电路设计需求，提高设计的通用性。
　　此外，CRTS030N04L具有良好的热稳定性和耐久性，能够在恶劣的环境条件下正常工作。其-55°C至+175°C的工作温度范围确保了器件在极端温度下仍能保持稳定性能，适用于汽车电子、工业控制和通信设备等对可靠性要求较高的应用领域。

CRTS030N04L广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。在电源管理系统中，该器件可用于高效能的同步整流器和功率开关，提高能源利用效率。在DC-DC转换器中，CRTS030N04L的低导通电阻和快速开关特性有助于降低损耗，提高转换效率，适用于笔记本电脑电源适配器、服务器电源和电信设备电源系统。
　　在电机控制方面，CRTS030N04L可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机，适用于电动工具、机器人和自动化设备等应用。其高电流承载能力和优异的热稳定性确保了电机驱动系统的可靠运行。
　　此外，CRTS030N04L还可用于负载开关电路，如电池管理系统、电源分配单元和智能电表等。在这些应用中，该MOSFET能够快速切换负载，减少功耗并保护电路免受过载和短路的影响。

SiSS100N04LQ, Nexperia PSMN100-03AA, Infineon BSC100N04LS