类型：LPDDR4 SDRAM
　　容量：8GB（64Gb）
　　数据速率：4266Mbps
　　电压：1.1V（核心电压VDD）、1.8V（I/O电压VDDQ）
　　封装类型：BGA
　　封装尺寸：9mm x 13mm
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　接口标准：JEDEC LPDDR4标准
　　数据总线宽度：16位
　　时钟频率：2133MHz
　　存储架构：x16
　　刷新周期：64ms

H9HKNNNCTUMUBR-NMHR 是一款专为移动设备优化的内存芯片，具有多项高性能和低功耗特性。其最大数据传输速率达到4266Mbps，使得设备在运行大型应用程序、高清视频播放以及多任务处理时能够保持流畅和高效。其采用的1.1V核心电压和1.8V I/O电压设计，使其在高性能运行的同时保持较低的功耗，延长设备电池续航时间。
　　该芯片采用先进的DRAM制造工艺，具备高集成度和稳定性。其BGA封装形式不仅提高了封装可靠性，还增强了高频信号传输的稳定性，适合在高密度PCB设计中使用。此外，其工作温度范围从-40°C到+85°C，确保了在各种环境条件下的稳定运行。
　　该型号支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh）和预充电功耗节省模式（Precharge Power Saving Mode），从而在不同应用场景下实现最优能耗管理。这些功能使得H9HKNNNCTUMUBR-NMHR 成为高端移动设备中理想的内存解决方案。

H9HKNNNCTUMUBR-NMHR 主要应用于需要高性能存储解决方案的高端移动设备中，例如旗舰级智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及高性能计算模块。其高带宽和低功耗特性使其非常适合用于处理复杂的图形数据、高清视频流和大型应用程序。此外，该芯片也可用于嵌入式系统、工业控制设备以及汽车电子系统中，以提升系统的整体运行效率和响应速度。
　　在智能手机领域，该芯片可以作为主存储器（RAM）使用，与高性能应用处理器配合，实现流畅的多任务处理、游戏运行和视频渲染。在汽车电子中，它可用于车载信息娱乐系统（IVI）或高级驾驶辅助系统（ADAS），以提供稳定的数据存储与处理能力。此外，由于其出色的温度适应性和稳定性，H9HKNNNCTUMUBR-NMHR 也适合用于工业自动化设备和数据采集系统，确保在严苛环境下的可靠运行。

H9HKNNNCTUMUBR-NMHR的替代型号包括H9HKNNNEUDBAR-NMEC、H9HKNNNCTUMUBR-NMEC、H9HKNNNEUMUDAR-NMHR和H9HKNNNCTUMUBR-NMZR。