时间：2025/5/29 23:55:12
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BU4210G-TR 是一款由 ROHM 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于各种开关和功率管理应用，能够提供高效的电流控制功能。其设计旨在实现低导通电阻和快速开关性能，从而减少功率损耗并提高系统效率。
BU4210G-TR 采用了先进的工艺技术制造，具有出色的热特性和可靠性，非常适合用于消费电子、工业设备以及汽车应用中的电源管理模块。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：8A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ
栅极-源极电压（Vgs(th)）：1.8V
总功耗：37W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
BU4210G-TR 具有以下主要特性：
1. 超低导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下减少功率损耗。
2. 快速开关速度，适合高频开关应用。
3. 高电流承载能力，支持高达 8A 的连续漏极电流。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
5. 小型封装选项，节省 PCB 空间。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
7. 支持多种保护机制，例如过温保护和短路保护，以提高系统的安全性。
BU4210G-TR 可广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和负载切换。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的功率路径控制。
4. 汽车电子系统，如车身控制模块和电动车窗。
5. 工业设备中的功率转换和逆变器。
6. 消费电子产品中的充电器和适配器。
7. LED 驱动电路。
BU4206G-TR, BU4212G-TR
