时间：2025/5/10 14:21:52
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NVMFS6H818NWFT1G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理电路等。其采用先进的制程工艺制造，能够提供优异的电气性能和热性能。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：70A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
栅极电荷(Qg)：58nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
NVMFS6H818NWFT1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高额定漏极电流 Id，能够支持大电流应用。
3. 快速开关速度，可有效降低开关损耗。
4. 优化的栅极电荷设计，简化驱动电路设计。
5. 良好的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
7. 采用坚固耐用的 TO-247 封装，具备出色的散热性能。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
3. 大功率负载开关。
4. 新能源汽车和电动车的电池管理系统 (BMS)。
5. 工业自动化控制设备。
6. 高效电源模块和逆变器设计。
NVMFS6H818NWF, IRF260N, FDP5570N
