LMBR120T1G 时间：2025/8/14 2:12:52 阅读：24

LMBR120T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装肖特基二极管阵列，专为高效率、高频应用而设计。该器件采用先进的肖特基势垒技术，具有低正向电压降和快速恢复时间的特点，适用于需要高能效和高频切换的应用场景。该器件采用紧凑的 SOD-123 封装，便于在高密度 PCB 设计中使用。

参数

类型：肖特基二极管阵列
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
　　最大平均正向电流（IF(AV)）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：15A
　　正向电压（IF=1A时）：≤0.42V
　　反向漏电流（VR=20V时）：≤20μA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123

特性

LMBR120T1G 具备多项显著特性，使其在多种电源管理和高频应用中表现出色。首先，其低正向电压降（在1A电流下最大为0.42V）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。这对于电池供电设备和高能效电源系统尤为重要。
　　其次，该器件具有快速恢复时间，几乎可以忽略不计，这使其适用于高频整流和开关电源应用。在高频操作中，传统的二极管可能会因反向恢复时间较长而导致效率下降，而LMBR120T1G的肖特基结构几乎不存在电荷存储效应，从而避免了这一问题。
　　此外，该器件采用SOD-123封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。这种封装也支持表面贴装技术（SMT），简化了制造流程并提高了可靠性。
　　LMBR120T1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级和汽车电子应用。其高浪涌电流承受能力（可达15A）也增强了其在瞬态负载条件下的稳定性。
　　最后，该器件的反向漏电流较低（最大20μA），即使在高温环境下也能保持良好的性能，减少了不必要的能量损耗。

应用

LMBR120T1G 广泛应用于多种电子系统中，特别是在对效率和空间有较高要求的场合。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池充电电路和负载管理电路。在这些应用中，其低正向电压降和快速恢复时间有助于提高系统效率并减少热损耗。
　　此外，该器件也常用于电源适配器、电源管理模块、LED驱动电路以及汽车电子系统中的电源保护电路。其高可靠性和宽温度范围使其特别适用于汽车和工业环境。
　　在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，LMBR120T1G可用于优化电源路径管理，延长电池续航时间。由于其表面贴装封装，也适用于自动化生产流程，提高制造效率。