类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装形式：SOT-23
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　脉冲漏极电流（Idm）：400mA
　　功耗（Ptot）：250mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值1.2V，最大值2.0V
　　跨导（gm）：典型值35mS
　　输入电容（Ciss）：典型值6pF
　　输出电容（Coss）：典型值2.5pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值0.3pF
　　开启时间（Ton）：约10ns
　　关断时间（Toff）：约15ns

BF988的核心特性在于其专为高频小信号应用优化的电气性能。该器件采用先进的沟槽型MOSFET结构，显著提升了载流子迁移率，从而实现较高的跨导（gm），典型值可达35mS，这使得它在小信号放大应用中能够提供良好的增益和线性度。其低阈值电压特性（典型值1.2V）允许在低电源电压下正常工作，非常适合电池供电或低电压系统，例如便携式无线设备和嵌入式传感器节点。由于其输入电容（Ciss）仅为6pF左右，输出电容（Coss）约为2.5pF，且反向传输电容（Crss）极低（约0.3pF），因此在高频环境下表现出色，能有效减少信号反馈和寄生振荡，提升电路稳定性。
　　BF988的开关速度较快，开启时间约为10ns，关断时间约为15ns，使其不仅适用于模拟射频放大，也可用于高速数字开关场合。其SOT-23封装具有较小的寄生电感和电容，有助于维持高频信号的完整性。此外，该器件具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气参数，结温最高可达150°C，适合在高温工业环境或密闭空间中使用。BF988还具备较强的抗静电能力（ESD保护），增强了在生产和使用过程中的可靠性。由于其无铅、符合RoHS标准的特性，BF988适用于现代绿色电子产品制造流程，支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺。总体而言，BF988是一款兼具高频性能、低功耗和高可靠性的N沟道MOSFET，适用于对尺寸、功耗和频率响应有严格要求的应用场景。

BF988广泛应用于各类高频和射频电子系统中，尤其适合作为小信号放大器、混频器和振荡器中的有源器件。在无线通信领域，它常用于FM广播接收机的射频前端放大，能够有效提升接收灵敏度并降低噪声干扰。在电视调谐器模块中，BF988可用于VHF/UHF频段的信号预放大，提高信噪比和图像质量。此外，该器件也常见于无线麦克风、遥控器、智能家居传感器和物联网无线模块（如ZigBee、Sub-GHz RF）中，作为射频信号的缓冲或驱动级使用。由于其快速的开关特性，BF988还可用于高速数字逻辑电路中的电平转换或信号整形功能，尤其是在低电压系统中替代传统双极型晶体管以降低功耗。在测试与测量设备中，BF988因其稳定的高频响应被用于构建宽带放大器或射频探头电路。工业控制和汽车电子中的远程无钥匙进入系统（RKE）、胎压监测系统（TPMS）等短距离无线应用也常采用BF988来实现可靠的射频信号处理。总之，凡是对小型化、低功耗和高频性能有需求的电子系统，BF988都是一个成熟且值得信赖的选择。

2N7002
　　BSS138
　　MCH3414
　　FDC6322L