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GA1206Y223JBBBT31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:29:24 查看 阅读:9

GA1206Y223JBBBT31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,主要用于电源管理、电机驱动和开关电路等应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  此型号采用先进的封装技术,能够在高温环境下保持稳定的性能表现,同时具备强大的抗静电能力(ESD 保护)。其具体参数和特性使其非常适合于需要高效功率转换的应用场景。

参数

类型:MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):31A
  导通电阻(Rds(on)):2.3mΩ
  总栅极电荷(Qg):85nC
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y223JBBBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 2.3 毫欧姆,从而显著减少功率损耗。
  2. 高电流承载能力,连续漏极电流高达 31 安培。
  3. 快速开关性能,得益于较低的总栅极电荷 (Qg),可提高系统效率。
  4. 强大的 ESD 抗扰度设计,确保在恶劣环境中的稳定运行。
  5. 支持宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适应多种工业与汽车级应用场景。
  6. 具备 TO-247-3 封装形式,便于安装和散热处理。
  这些特性使得该芯片成为大功率开关和高效能 DC-DC 转换器的理想选择。

应用

GA1206Y223JBBBT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器,用于提升效率和减小体积。
  2. 电动车辆及混合动力车辆中的电机控制和逆变器模块。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和电机驱动。
  4. 大功率 LED 照明驱动电路。
  5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备。
  凭借其卓越的电气特性和机械结构,该芯片能够满足各类高要求电子系统的需求。

替代型号

IRF3710,
  STP32NF06,
  FDP31N60,
  AUIRF3202

GA1206Y223JBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-