时间：2025/7/23 18:34:22
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NVH4L040N65S3F是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高电压、高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高效率的电源转换系统。该器件采用了先进的SuperFET II技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和开关损耗，适用于650V的漏源电压（Vds）工作范围。NVH4L040N65S3F采用TO-247封装，适用于需要高可靠性和高性能的工业电源、服务器电源、光伏逆变器以及电动汽车充电系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）@25°C：100A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：40mΩ
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度：-55°C ~ +150°C
封装：TO-247
NVH4L040N65S3F的先进SuperFET II技术显著降低了开关损耗和导通损耗，使其在高频率开关应用中表现出色。
其低导通电阻（40mΩ）有效减少了导通损耗，从而提高了系统效率并降低了发热。
该器件的高电流处理能力（100A）和耐高压能力（650V）使其适用于大功率电源转换系统。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，适合在高温环境下工作，如工业级应用和电动汽车充电设备。
其TO-247封装提供了良好的散热性能，并兼容标准的功率模块安装方式，便于系统集成和散热设计。
内置的快速恢复二极管（体二极管）提高了在硬开关和高频应用中的性能表现，减少了额外的外部元件需求。
NVH4L040N65S3F广泛应用于多种高功率和高效率电源系统，包括服务器电源、电信电源、光伏逆变器、电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）系统。
其高耐压和低导通电阻特性使其成为PFC（功率因数校正）电路中的理想选择，特别是在需要高效率和高可靠性的工业和汽车应用中。
此外，该器件也适用于各种类型的开关电源（SMPS）和电机控制应用，能够满足现代电子设备对高效能和低能耗的严格要求。
STF20N65M5, FCH070N65S3, SCT3040KL, IPP65R045C7
