时间：2025/9/14 8:36:55
阅读：13
BF821,235 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及负载控制等领域。这款器件以其高效能、高可靠性和紧凑的封装设计而受到市场的欢迎。BF821,235 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在较低的导通电阻下提供较高的电流承载能力，适用于对效率和热管理要求较高的应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA（@ Vgs = 10V）
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（@ Vgs = 10V）
功率耗散（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT23
BF821,235 是一款高性能的小功率 MOSFET，具备低导通电阻和良好的热稳定性。其导通电阻在 Vgs = 10V 时仅为 1.8Ω，有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持从 4.5V 到 10V 的工作电压，使其适用于多种驱动电路设计。
此外，BF821,235 采用 SOT23 封装，具有较小的封装尺寸和良好的热管理性能，适用于空间受限的应用场景。其高可靠性设计使其能够在高温环境下稳定运行，满足工业级温度要求。
该 MOSFET还具备良好的抗静电能力（ESD）和过载保护性能，能够在一定程度上抵御外部环境带来的干扰和损坏，提高整体系统的稳定性和寿命。
BF821,235 广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要小功率开关控制的场合。典型应用包括便携式电子产品、电池管理系统、电源开关、LED 驱动电路以及各种低功耗控制电路。其紧凑的 SOT23 封装也使其成为 PCB 布局中空间受限设计的理想选择。
BF822,235 / 2N7000 / BSS138 / 2N7002 / SI2302
