时间：2025/6/7 14:21:25
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NTR4171PT3G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 ON Semiconductor（安森美）生产。该器件采用 TO-263-3 封装，适用于多种功率转换和开关应用。NTR4171PT3G 的设计特点是低导通电阻和高效率，在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中有着广泛应用。
该器件具有良好的热性能和电气特性，使其成为需要高效能和可靠性的应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：38nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263-3
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下的可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
6. 支持高电流操作，适合大功率应用。
1. 汽车电子 - 包括电机驱动、电池管理、DC/DC 转换器等。
2. 工业设备 - 如工业电源、逆变器、不间断电源（UPS）等。
3. 消费类电子产品 - 例如适配器、充电器和其他便携式设备的功率管理。
4. 开关模式电源（SMPS）设计中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
5. 任何需要高效能 MOSFET 的场合，特别是在高频和高功率条件下。
NTR4170PT3G, NTD4965N3, IRF3205
