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NTR4171PT3G 发布时间 时间:2025/6/7 14:21:25 查看 阅读:5

NTR4171PT3G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 ON Semiconductor(安森美)生产。该器件采用 TO-263-3 封装,适用于多种功率转换和开关应用。NTR4171PT3G 的设计特点是低导通电阻和高效率,在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中有着广泛应用。
  该器件具有良好的热性能和电气特性,使其成为需要高效能和可靠性的应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263-3

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下的可靠性。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
  6. 支持高电流操作,适合大功率应用。

应用

1. 汽车电子 - 包括电机驱动、电池管理、DC/DC 转换器等。
  2. 工业设备 - 如工业电源、逆变器、不间断电源(UPS)等。
  3. 消费类电子产品 - 例如适配器、充电器和其他便携式设备的功率管理。
  4. 开关模式电源(SMPS)设计中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  5. 任何需要高效能 MOSFET 的场合,特别是在高频和高功率条件下。

替代型号

NTR4170PT3G, NTD4965N3, IRF3205

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NTR4171PT3G参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量10000