时间：2025/5/7 18:11:24
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IKZ75N65EH5 是英飞凌（Infineon）推出的增强型 N 沣道开关 MOSFET，采用 TO-247 封装。该器件专为高电压和高功率应用而设计，适用于工业、汽车以及可再生能源领域。其优化的沟槽栅极结构使其具备较低的导通电阻和出色的开关性能。
IKZ75N65EH5 的最大漏源电压为 650V，连续漏电流为 75A，非常适合硬开关和软开关应用。此外，该器件具有超低的栅极电荷和输出电荷，从而有助于降低开关损耗并提高效率。
最大漏源电压：650V
连续漏电流：75A
导通电阻：0.035Ω
栅极电荷：95nC
总电容：1450pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IKZ75N65EH5 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗。
2. 超低栅极电荷和输出电荷，确保高效的开关性能。
3. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 快速体二极管恢复时间，减少了开关过程中的能量损失。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
6. 提供卓越的热稳定性和可靠性，能够在极端环境下长期运行。
IKZ75N65EH5 广泛应用于以下领域：
1. 工业逆变器和变频驱动器。
2. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电机控制器。
4. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
5. 不间断电源 (UPS) 系统。
6. 焊接设备和感应加热装置。
IKW75N65E5, IRFP260N, FGH75N65SMD
