NFSE036B 时间：2025/7/22 5:05:01 阅读：7

NFSE036B 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件设计用于在高频率下工作，具备低导通电阻和高耐压特性，适合用于开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.021Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：3.6W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

NFSE036B 具备一系列显著的技术特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以减少导通损耗，从而提高整体效率。该器件的低导通电阻确保了在大电流工作时仍能保持较低的功率损耗，减少了对散热器的需求，降低了整体设计复杂性。
　　此外，NFSE036B 具备较高的最大漏源电压（Vds）为 30V，使其能够适应较高的电压应用环境，同时具备较强的抗过载能力。其栅极驱动电压范围较宽，可兼容多种控制电路，提高设计的灵活性。
　　该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频率的开关电源设计，减少开关损耗，提高系统的整体响应速度。此外，其高可靠性设计使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作，满足工业级温度范围（-55°C 至 150°C）的要求，适用于多种苛刻的工作条件。
　　从封装角度来看，NFSE036B 采用 TO-220 封装形式，具备良好的散热性能，并且便于安装在标准的 PCB 板上。这种封装形式在工业应用中广泛使用，便于焊接和维护。

应用

NFSE036B 广泛应用于各种电源管理领域，包括但不限于以下场景：在开关电源（SMPS）中作为主开关器件，利用其低导通电阻和高效率特性，提高电源转换效率；在 DC-DC 转换器中，作为高侧或低侧开关，实现不同电压等级之间的高效能量转换；在负载开关电路中，用于控制高功率负载的通断，例如在服务器、存储设备和工业控制系统中控制风扇、加热元件或电机的运行；此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电控制开关，确保电池组的安全高效运行；在电机驱动应用中，NFSE036B 可用于 H 桥结构中，实现对直流电机或步进电机的高效控制，适用于自动化设备和机器人系统。