类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　漏极电流（ID）：100 A（在 VGS = 10 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.7 mΩ（典型值，VGS = 10 V）
　　功率耗散（PD）：300 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双面散热
　　工艺技术：沟槽式 MOSFET

VP0106N3P017 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 1.7 mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，该器件采用了 Vishay 专有的 TrenchFET 技术，使得在相同尺寸下，MOSFET 的性能和功率密度大幅提升。
　　该 MOSFET 支持高达 100 A 的漏极电流，在高负载应用中表现出色。其最大漏源电压为 60 V，适用于中等电压的电源系统。VP0106N3P017 的栅源电压容限为 ±20 V，具备良好的抗过压能力，能够在复杂的电气环境中稳定工作。
　　该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，具有双面散热功能，有助于提高热性能和可靠性。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适用于严苛的工业和汽车环境。
　　由于其快速开关特性，VP0106N3P017 在高频开关应用中表现优异，可减少开关损耗，提高系统效率。同时，该器件的低栅极电荷（Qg）也有助于降低驱动电路的功耗。

VP0106N3P017 适用于多种高功率、高效率的电源管理系统。常见应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、服务器电源、电信电源设备以及工业自动化控制系统。
　　在服务器和通信设备的电源模块中，VP0106N3P017 被广泛用于同步整流和功率级设计，以提高转换效率并减少发热。在电池管理系统中，该器件用于电池充放电控制和保护电路，确保系统的安全性和稳定性。
　　此外，该 MOSFET 还可用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的 DC-DC 转换器和车载充电器（OBC）等应用，满足汽车电子系统对高可靠性和高效率的需求。

Si7396DP, IRF1010Z, FDS6680, IPB013N06N3