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NTPF110N65S3HF 发布时间 时间:2025/9/3 20:18:09 查看 阅读:7

NTPF110N65S3HF 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电压、高电流应用场景,具有良好的导通特性和较低的开关损耗。NTPF110N65S3HF 通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备等需要高效能功率开关的领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):110A(在Tc=25℃时)
  最大功率耗散(Pd):300W
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.014Ω(在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-247

特性

NTPF110N65S3HF 的主要特性包括低导通电阻,这使得器件在导通状态下能够提供更低的功耗,从而提高系统效率。此外,该器件具有出色的热稳定性和可靠性,适合在高负载环境下使用。其TO-247封装形式有助于提高散热性能,确保在高电流操作下的稳定性。
  该MOSFET还具备良好的雪崩能量能力,可以在瞬态过压条件下提供额外的保护。此外,其快速开关特性使其非常适合高频开关应用,例如开关电源(SMPS)和电机驱动器。
  值得一提的是,NTPF110N65S3HF的栅极驱动要求较低,能够在10V左右的栅极电压下实现完全导通,简化了驱动电路的设计。这种特性对于降低控制器的复杂性和成本非常有帮助。

应用

NTPF110N65S3HF 被广泛应用于各种高功率电子系统中,例如服务器电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、工业电机控制以及电动汽车充电设备等。此外,它也常用于高功率LED照明系统、电池充电器以及各种类型的DC-DC转换器。
  由于其高耐压能力和大电流承载能力,NTPF110N65S3HF 在需要高效能功率转换的场合表现出色。例如,在开关电源中,它可以作为主开关元件,帮助实现更高的转换效率和更小的系统尺寸。

替代型号

建议替代型号包括:STP110N65FZ、IXFN110N65X2、SiHP017N65EF

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NTPF110N65S3HF参数

  • 现有数量500现货
  • 价格1 : ¥52.31000管件
  • 系列FRFET?, SuperFET? III
  • 包装管件
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)110 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 740μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)62 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2635 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)240W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FP
  • 封装/外壳TO-220-3 整包