时间：2025/6/12 2:05:17
阅读：19
LQG15HS2N0S02D 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率半导体器件，属于 MOSFET 系列。该产品主要面向工业和汽车应用领域，具有高效率、低导通电阻和出色的热性能等特点。其封装形式为 HSOP-8，能够满足紧凑型设计的需求，同时具备优异的电气特性和可靠性。
该器件适用于多种电源管理场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的应用。
类型：MOSFET
极性：N沟道
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：2.9mΩ
ID（持续漏极电流）：43A
栅极电荷（Qg）：37nC
封装：HSOP-8
工作温度范围：-40℃ 至 +175℃
LQG15HS2N0S02D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 2.9mΩ，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 支持高达 43A 的连续漏极电流能力，适合大电流应用场景。
3. 高耐压能力（60V VDS），可应对复杂的工作环境和瞬态电压冲击。
4. 小巧的 HSOP-8 封装，节省 PCB 布局空间，便于小型化设计。
5. 出色的热性能，能够有效降低芯片温升，从而提升整体系统的稳定性和寿命。
6. 宽泛的工作温度范围（-40℃ 至 +175℃），适应恶劣的工业及汽车级使用条件。
7. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车领域的可靠性和一致性。
LQG15HS2N0S02D 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动控制。
2. 工业设备中的开关电源和负载开关。
3. 通信设备中的高效功率转换模块。
4. 各类电池管理系统（BMS）中的保护电路。
5. 其他需要高性能功率开关的应用场景，如 LED 驱动和太阳能逆变器等。
LQG15HS2N0S02DTR, LQG15HS2N0S02DK
