时间：2025/5/22 15:15:58
阅读：1
1210N180G101CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高功率应用。该器件采用表面贴装封装，能够提供出色的开关性能和效率，主要应用于电源转换、射频放大器和其他高性能电子设备中。
由于其材料特性和结构设计，1210N180G101CT 具备低导通电阻和快速开关速度的优势，使其在高频工作条件下仍能保持高效运行。
型号：1210N180G101CT
类型：GaN HEMT
封装：SMD
最大漏源电压(Vds)：180V
最大栅源电压(Vgs)：±6V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ
输入电容(Ciss)：550pF
输出电容(Coss)：35pF
反向传输电容(Crss)：8pF
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1210N180G101CT 的主要特点是采用了先进的氮化镓半导体技术，具备以下优势：
1. 高开关频率：支持高达5MHz的操作，使得该器件非常适合高频应用，如DC-DC转换器和无线充电设备。
2. 低导通电阻：仅为40mΩ，从而减少了传导损耗并提高了整体系统效率。
3. 快速开关能力：具有短的开关时间和低的反向恢复电荷(Qrr)，有助于减少开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在高达+175℃的工作温度下稳定运行，适应恶劣环境条件。
5. 小型化设计：SMD封装形式使它易于集成到紧凑型电路板设计中。
该器件广泛用于需要高效能量转换和高频操作的应用领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 无线充电模块
4. 工业电机驱动
5. 通信基站中的射频功率放大器
6. 汽车电子系统中的逆变器
7. 高效能源管理解决方案
1209P180G101CT, 1210N200G101CT
