时间：2025/6/3 10:45:45
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S-LDTD114ELT1G 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 (D-PAK) 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能的电源管理应用。其出色的电气性能使其成为工业、消费电子以及通信设备中的理想选择。
该型号设计用于承受高电流负载，并提供稳定的开关特性，同时能够有效降低系统功耗。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：59A
导通电阻：1.4mΩ
总栅极电荷：78nC
开关时间：ton=9ns, toff=25ns
结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263
S-LDTD114ELT1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少能量损耗，提高整体效率。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 快速开关特性，能够支持高频工作环境。
4. 耐热增强型封装设计，提高了散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特点使得该芯片非常适合应用于需要高效功率转换和低发热的场合。
这款 MOSFET 的典型应用场景包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主功率开关。
2. 电动机驱动电路中的功率级元件。
3. DC/DC 转换器中作为同步整流 MOSFET。
4. 电池保护与管理系统中的电子开关。
5. 工业自动化控制中的负载切换。
由于其强大的电流承载能力和高效的开关性能，S-LDTD114ELT1G 广泛应用于汽车电子、计算机外设及家用电器等领域。
SLLTD114ELT1G
SLLTD114ELT1GA
TPLK114E6W
IRF7728TRPBF
