容量：64Mbit
　　组织结构：4M x 16
　　封装类型：TSOP
　　工作电压：2.3V 至 3.6V
　　数据速率：166MHz
　　数据宽度：16 位
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

HY57V64820HGTP-HI 提供了出色的性能和可靠性，适用于需要高速数据存储的场景。其采用的 SDRAM 技术能够显著提高数据访问速度，并且支持同步操作，使内存与系统时钟保持一致，减少延迟。
　　该芯片的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，提供了良好的电压适应性，能够在多种电源环境下稳定运行。同时，其低功耗设计使其在电池供电设备中表现优异，延长了设备的续航时间。
　　此外，HY57V64820HGTP-HI 的 TSOP 封装形式使其具有较小的封装体积和较高的集成度，非常适合对空间要求较高的应用。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适应了严苛的工业环境需求，确保了在极端温度下的稳定性和可靠性。
　　总体而言，这款 SDRAM 芯片在性能、功耗和环境适应性方面都表现出色，是一款适用于多种高端应用的理想选择。

HY57V64820HGTP-HI 被广泛应用于各种高性能嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及便携式电子产品中。由于其高速数据存取能力和低功耗特性，这款芯片特别适合用于需要大量数据处理的应用，如网络路由器、工业自动化设备、智能卡终端、视频监控设备等。
　　在嵌入式系统中，HY57V64820HGTP-HI 可作为主存储器使用，为处理器提供高速缓存，从而提升系统的整体运行效率。在通信设备中，该芯片能够支持高速数据传输，满足现代通信系统对带宽的高要求。此外，在便携式设备中，它的低功耗设计能够有效延长设备的电池使用寿命，提高用户体验。
　　由于其宽广的工作温度范围，HY57V64820HGTP-HI 也非常适合在工业自动化、智能交通系统、医疗设备等对环境适应性要求高的场合中使用。无论是在高温或低温环境下，该芯片都能保持稳定的运行状态，确保设备的可靠性和耐用性。

IS42S16800B-6T, MT48LC16M16A2B4-6A