时间：2025/12/25 6:23:31
阅读：17
NTMFS5C628NLT3G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：典型值为2.8mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
NTMFS5C628NLT3G MOSFET采用了先进的沟槽式MOSFET技术，能够在高频率和高电流条件下提供极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其D2PAK封装形式具备良好的散热性能，能够在高功率应用中保持稳定工作温度。此外，该器件的栅极氧化层设计能够承受高达±20V的栅源电压，增强了器件的可靠性和抗干扰能力。
这款MOSFET具有快速开关特性，适合用于高频开关电源、同步整流器以及电机控制等需要快速响应的应用场景。其高耐压特性（60V漏源电压）也使其适用于各种中高功率电源系统，例如工业电源、电信设备电源、电池充电器和汽车电子系统。
NTMFS5C628NLT3G还具备优异的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，进一步提升了系统的稳定性和耐用性。这种特性使其在面对负载突变或电感性负载切换时仍能保持较高的可靠性。
NTMFS5C628NLT3G广泛应用于各种电源管理和功率转换系统。其典型应用场景包括DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机的电机驱动电路、工业自动化设备中的功率开关、电信和服务器电源模块等。此外，该器件也非常适合用于高功率密度设计，如便携式电源、高效率电源适配器以及新能源系统中的逆变器和充电器模块。
在汽车电子领域，NTMFS5C628NLT3G可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统以及车载娱乐系统电源模块等应用。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在恶劣的汽车工作环境中稳定运行。
SiS628AN, FDP80N60, IRF1404, NTMFS4C410N, FDS8876
