时间：2025/8/13 13:53:37
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LN2604DT2AG 是一颗由ON Semiconductor生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.1A
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.85Ω @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：最大1.2Ω @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
LN2604DT2AG 采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，能够在中等电压下实现高效的功率控制。该器件的导通电阻较低，特别是在VGS=10V时，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，其在VGS=4.5V时也能保持良好的导通性能，适用于低电压栅极驱动电路。
该MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定工作。其TSOP封装结构不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合在高密度PCB设计中使用。
LN2604DT2AG 的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，增强了其在不同应用中的兼容性和灵活性。同时，该器件具备快速开关能力，能够减少开关损耗，适用于高频开关应用。
LN2604DT2AG 主要用于需要中等功率控制的场合，如便携式电子设备的电源管理、DC-DC转换器中的开关元件、负载开关电路以及电机驱动和继电器控制等。由于其良好的导通特性和热稳定性，该器件也广泛应用于工业控制系统和汽车电子模块中。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, NTD14N02LT4G
