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PUMD9 发布时间 时间:2025/9/15 4:34:01 查看 阅读:3

PUMD9是一款广泛应用于模拟和数字电路中的双极型晶体管阵列芯片。它由多个晶体管组成,通常用于需要多路晶体管控制的场合。这款芯片的设计使其在多个领域中具有良好的适应性和稳定性。

参数

类型:双极型晶体管阵列
  晶体管数量:4个
  最大集电极电流:100mA
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大功耗:200mW
  封装类型:16引脚DIP
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  增益带宽:100MHz

特性

PUMD9是一款非常可靠的晶体管阵列芯片,它包含多个双极型晶体管,能够提供高效的信号放大和开关功能。该芯片的每个晶体管都是独立的,可以分别用于不同的电路需求。PUMD9的封装形式为16引脚DIP,这种封装便于安装和使用,并且在PCB设计中非常常见。其额定工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,使其能够在恶劣环境中稳定运行。
  此外,PUMD9的功耗较低,仅为200mW,这使得它在需要低功耗设计的电子设备中表现优异。其最大集电极电流为100mA,适用于中等功率的放大和开关应用。晶体管的增益带宽为100MHz,能够支持高频信号处理,这使得PUMD9在模拟电路和数字电路中都有广泛的应用。
  该芯片的可靠性高,生产过程中采用了严格的工艺控制,确保了每个晶体管的一致性和稳定性。此外,PUMD9的封装设计提供了良好的散热性能,能够有效地将热量散发出去,从而延长芯片的使用寿命。

应用

PUMD9广泛应用于各种电子设备和系统中,包括工业控制、通信设备、音频放大器、电源管理模块以及数字逻辑电路。由于其多晶体管阵列的特性,PUMD9常用于需要多路晶体管驱动的场合,例如继电器驱动、LED显示屏控制、电机控制等。此外,PUMD9还被用于信号放大、电压调节和开关电路设计中。

替代型号

ULN2003, ULN2004

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PUMD9参数

  • 晶体管极性:npn型/ PNP输出
  • 电压, Vceo:50V
  • 功耗, Pd:200mW
  • 集电极直流电流:100mA
  • 直流电流增益 hFE:100
  • 工作温度范围:-65°C 到 +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • 功耗:200mW
  • 封装类型:SOT-363
  • 总功率, Ptot:300mW
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:偏压电阻(BRT)
  • 最大连续电流, Ic:100A
  • 模块配置:
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:50V
  • 电流, Ic hFE:5mA
  • 电流, Ic 最大:100A
  • 电阻, R1:10kohm
  • 电阻, R1 PNP:10kohm
  • 电阻, R2:47kohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:100
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:100mV