HV2220Y122JXHATHV 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于高功率开关应用中。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点,适合用于直流-直流转换器、开关电源、电机驱动和其他电力电子设备中。
类型:MOSFET
极性:N-Channel
漏源击穿电压(Vds):650V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):0.3Ω
栅极电荷(Qg):85nC
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
封装形式:TO-247
HV2220Y122JXHATHV 的主要特点是具有非常低的导通电阻,这可以显著降低功耗并提高整体效率。同时,其高击穿电压允许在高压环境中使用,而快速开关速度则减少了开关损耗。此外,该器件还具有出色的热稳定性和耐用性,能够在极端条件下长时间运行。
这款 MOSFET 使用了最新的半导体技术制造,保证了高度一致的电气性能,并且在动态操作下表现出较低的电磁干扰(EMI)水平。这些特点使其成为众多工业和消费类应用的理想选择。
HV2220Y122JXHATHV 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关模式电源(SMPS)设计中的主开关元件。
2. 直流-直流(DC-DC)转换器中的同步整流功能。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统中的关键功率处理单元。
5. 各种负载切换和保护电路中的高效开关。
IRFP460N
FDP17N65
STW90N65DM2