时间：2025/8/6 10:12:07
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IXGH10N100是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管，适用于高电压和高电流的应用场景。这款器件采用了先进的高压MOSFET技术，具有出色的热性能和可靠性，广泛用于电源转换器、工业电机控制和高频电源等应用中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：10A
最大漏-源电压：1000V
栅极-源极电压：±30V
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
IXGH10N100的主要特性包括其高耐压能力和较强的电流处理能力，使其能够在高功率环境下稳定工作。这款MOSFET晶体管具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，它还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不会出现性能下降。
该器件的封装设计（TO-247AC）使其便于安装和散热，进一步提升了其在工业应用中的适用性。通过优化的芯片设计，IXGH10N100在高频工作条件下表现出色，能够满足电源转换和电机控制中对快速开关性能的需求。
另外，这款MOSFET的栅极驱动要求相对较低，简化了驱动电路的设计，并降低了驱动损耗。其坚固的结构设计和高可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。
IXGH10N100常用于各种高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、逆变器、工业电机驱动器、高频电源和电焊设备。由于其高电压和电流能力，这款MOSFET晶体管非常适合用于需要高效能和高可靠性的工业和电力电子应用。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，IXGH10N100也具有广泛的应用潜力。
IXFH10N100, IRGPC50K, FGH10N100SMD
