BUT11X 时间：2025/8/25 5:52:32 阅读：4

BUT11X 是一款常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器和功率放大器等电路中。这款器件以其高效率、低导通电阻以及良好的热性能而著称，适用于需要高电流和高电压能力的功率电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.045Ω（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

BUT11X 具有低导通电阻，这使得它在导通状态下能够显著减少功率损耗，提高系统效率。
　　其高电流承载能力和耐高压特性，使其非常适合用于高功率密度设计。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于各种工业和消费类应用。
　　此外，BUT11X 还具有快速开关特性，能够支持高频操作，减少开关损耗并提高整体系统性能。
　　器件的栅极驱动要求较低，通常可以与标准逻辑电平兼容，从而简化了驱动电路的设计。
　　由于其优异的热稳定性和过载能力，BUT11X 在恶劣环境条件下也能保持稳定运行。

应用

BUT11X 常用于多种功率电子应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、直流马达控制、电池管理系统、逆变器、DC-AC转换器、LED照明驱动器以及各种形式的功率调节电路。
　　在电源管理应用中，该器件可作为高效的功率开关使用，帮助实现紧凑型、高效率的电源解决方案。
　　在电机控制中，BUT11X 可用于H桥驱动电路，实现对电机方向和速度的精确控制。
　　同时，该MOSFET也可用于负载开关、保护电路以及电池充放电控制等场景。