类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LN9926LT1G 具备多项优异特性，使其适用于高性能电源管理系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了开关速度和热稳定性，使其适用于高频开关应用。此外，LN9926LT1G 的封装形式为 TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，能够在高电流负载下保持较低的工作温度。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在突发负载或瞬态条件下的可靠性。此外，LN9926LT1G 的栅极驱动电压范围宽，兼容主流的 MOSFET 驱动电路，如 PWM 控制器和栅极驱动 IC。最后，其高可靠性设计确保了在恶劣工作环境下的稳定运行，适用于工业控制、通信电源、电动车控制系统等关键应用领域。
　　在应用设计中，LN9926LT1G 的热管理是关键因素之一。由于其高功率密度，设计者需确保足够的散热措施，如散热片或 PCB 铜箔布局，以避免过热导致的性能下降或器件损坏。同时，为了最大化其开关性能，应使用低阻抗的栅极驱动电路以减少开关延迟和功耗。此外，在并联使用多个 LN9926LT1G 时，需注意电流均衡问题，以防止局部过热或器件失效。

LN9926LT1G 广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。首先，在 DC-DC 转换器中，该器件作为主开关管，用于提高转换效率和减小系统体积，适用于笔记本电脑电源、服务器电源和通信设备供电系统。其次，在电机控制应用中，LN9926LT1G 用于 H 桥电路，实现对直流电机的正反转控制和调速功能，广泛用于工业自动化设备和电动车驱动系统。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS），作为充放电控制开关，确保电池组的安全运行。在负载开关应用中，LN9926LT1G 用于实现电源的快速接通与断开，常用于便携式电子产品和智能家电中。此外，该器件还可用于同步整流电路、电源管理模块和 LED 照明驱动系统。由于其优异的导通特性和热稳定性，LN9926LT1G 也适用于高可靠性要求的工业控制系统和通信设备中。

IRF6665, SiSS666DN, AON6666, SQJQ666E, FDD6688