HY5PG1G431CFP-Y5 是 Hynix(现为 SK Hynix)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用CMOS技术制造,适用于需要高速数据访问和大容量存储的应用场景。其封装形式为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),具有较小的体积和较高的集成度,适合用于高端电子设备。
容量:1Gbit
组织方式:128M x 8 / 64M x 16
工作电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:FBGA
引脚数量:54pin
最大时钟频率:166MHz
访问时间:5.4ns
数据保持时间:10ms
HY5PG1G431CFP-Y5 是一款高性能的DRAM芯片,具有较大的存储容量和较快的数据访问速度。其工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),适应多种电源管理方案,增强了系统的兼容性和灵活性。此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣的环境条件下稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。
该芯片采用了CMOS工艺,功耗较低,有助于提高设备的能效并减少发热。同时,其FBGA封装形式不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,确保在高负载下的稳定运行。
为了提高数据的完整性和可靠性,HY5PG1G431CFP-Y5 内部集成了刷新电路,支持自动刷新和自刷新模式,有效延长了数据的保存时间。该芯片还支持多种操作模式,包括快速页面模式和静态列地址模式,以适应不同的系统设计需求。
HY5PG1G431CFP-Y5 适用于需要高性能和大容量存储的电子设备,如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、汽车电子系统、高端消费电子产品等。由于其宽温范围和高可靠性,该芯片也常用于需要长时间稳定运行的工业和汽车应用中。
HY57V1G43DFP-Y5、IS42S16400F-6T、K4S561632E-F75