时间：2025/7/23 18:38:20
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NTMFS4983NFT3G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种高效率电源管理系统中。该器件设计用于在高频率下工作，适用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。NTMFS4983NFT3G采用了先进的沟槽技术，以实现较低的导通电阻和较高的电流处理能力，同时保持了良好的热性能。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
漏极电流（ID）：8.1A
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散：2.3W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：8-PowerTDFN
安装类型：表面贴装
NTMFS4983NFT3G具有多项显著特性，使其在众多电源管理应用中表现出色。首先，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了整体效率。此外，该MOSFET的额定漏极电流为8.1A，能够在高负载条件下提供稳定的性能。
该器件的封装形式为8-PowerTDFN，具有较小的尺寸，适合在空间受限的设计中使用。其表面贴装的安装方式有助于简化PCB布局并提高生产效率。NTMFS4983NFT3G的栅极驱动电压范围为10V至20V，确保了良好的导通状态和开关性能。
在热性能方面，NTMFS4983NFT3G具有良好的散热设计，能够在高功率条件下保持稳定的工作温度。其额定工作温度范围从-55°C至150°C，确保了在极端环境下的可靠性。此外，该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），有助于减少开关损耗并提高响应速度。
NTMFS4983NFT3G的可靠性和耐用性也得到了验证，适用于多种工业和消费类应用。其高抗静电能力和良好的短路保护性能，使其在复杂的工作环境中能够保持稳定的运行。
NTMFS4983NFT3G广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统。在电源管理系统中，该器件可以作为高效的开关元件，帮助实现更高的能量转换效率。在DC-DC转换器中，NTMFS4983NFT3G的低导通电阻和高电流处理能力使其成为理想的选择。此外，该MOSFET还可用于电机控制应用，提供快速的开关响应和稳定的输出性能。
在消费类电子产品中，NTMFS4983NFT3G常用于电池管理系统，以确保电池的安全和高效运行。其表面贴装封装形式也使其非常适合用于移动设备和便携式电子产品中。在工业控制系统中，该器件可以用于负载开关和电源分配，提供可靠的电流控制和保护功能。
此外，NTMFS4983NFT3G还可用于LED照明系统、电源适配器以及太阳能逆变器等应用。其高效的能量转换能力和良好的热性能使其在这些应用中表现出色。
Si4442DY-T1-GE3, FDS4410AS, IRF7413PBF
