RS1GT08XC5 是一款基于硅工艺制造的高性能、低功耗 CMOS 静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。该器件专门设计用于保护高速数据线免受静电放电和瞬态电压尖峰的影响。其超低电容特性使其非常适合高速接口应用,例如 USB、HDMI 和其他高速差分信号线路。
RS1GT08XC5 采用紧凑型封装,支持表面贴装技术 (SMT),便于在高密度 PCB 设计中使用。它能够提供双向保护,并具有出色的箝位性能和响应速度。
工作电压:±8kV(空气放电)
工作电压:±8kV(接触放电)
最大泄漏电流:1μA(@VR=20V)
动态电阻:≤1Ω
电容:≤0.4pF(典型值)
响应时间:≤1ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:X2C5
RS1GT08XC5 具有以下显著特点:
1. 超低电容设计,适合高速数据传输应用。
2. 双向保护功能,可有效保护正负极性 ESD 冲击。
3. 快速响应时间,确保对瞬态电压的及时抑制。
4. 稳定的箝位电压特性,保护后端电路免受损害。
5. 小尺寸封装,适合空间受限的设计需求。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料制造。
7. 支持高重复浪涌能力,可靠性强。
RS1GT08XC5 广泛应用于各种需要高速数据保护的场景,包括但不限于:
- USB 2.0/3.0 接口保护
- HDMI/DVI 接口保护
- 以太网 PHY 接口保护
- 移动设备(智能手机、平板电脑)中的天线和数据线保护
- 工业控制设备中的信号线保护
- 汽车电子系统中的高速通信链路保护
- IoT 设备中的无线模块保护
SP1019-02BT, PESD8VN8BG, SMF8.0BTA