时间：2025/5/23 1:16:04
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GMC04CG3R3B50NT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频功率放大等应用。该器件采用先进的封装技术，具备低导通电阻和快速开关特性，可显著提高系统的效率和功率密度。
这款 GaN 晶体管具有增强型（e-mode）设计，确保其在栅极电压为 0V 时处于关闭状态，从而提升了使用的安全性与可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：12A
导通电阻：40mΩ
栅极驱动电压：4V~6V
反向恢复电荷：7nC
开关频率：支持高达 5MHz
工作温度范围：-55℃~+150℃
GMC04CG3R3B50NT 的核心优势在于其卓越的高频性能和高效率。其低导通电阻有助于降低传导损耗，而快速的开关速度则减少了开关损耗，使其非常适合高频应用环境。
此外，该器件采用了可靠的增强型结构设计，无需额外的复杂驱动电路即可安全运行。同时，其出色的热稳定性和宽广的工作温度范围使其能够在严苛条件下保持稳定性能。
GaN 技术的应用使得 GMC04CG3R3B50NT 在相同封装尺寸下提供更高的功率密度，并且能够有效减少系统体积和重量，满足现代电力电子设备对小型化和高效化的追求。
GMC04CG3R3B50NT 广泛应用于高频开关电源、电动汽车车载充电器（OBC）、服务器电源模块、无线充电发射端、激光雷达驱动以及各类工业 DC-DC 转换器中。
其高效的能量转换能力和快速响应特性，使其成为需要高性能功率管理解决方案的理想选择。特别是在需要高功率密度和高频工作的场合，例如新能源汽车和通信基站领域，该器件表现出色。
GMC04CG3R3B50NT 的替代型号包括但不限于：GMC04CG3R3B50T、GMC04CG3R3B50HT、GMC04CG3R3B50LT
