PJ61N252MR 时间：2025/8/22 4:35:18 阅读：8

PJ61N252MR 是一款由PanJit（强茂）生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET专为高效率电源管理应用设计，具有低导通电阻、高耐压和高电流能力等优点，适用于电源适配器、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场合。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：250V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：61A @ Tc=25℃
　　功耗(Pd)：200W
　　导通电阻(Rds(on))：0.052Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：TO-220
　　晶体管数：1

特性

PJ61N252MR 具有以下显著特性：
　　首先，其具备非常低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为0.052Ω。这使得在导通状态下功率损耗极低，从而提高了电源系统的整体效率。
　　其次，该器件支持高达61A的连续漏极电流，能够满足高功率应用的需求。同时，其最大漏源电压为250V，可承受较高的电压应力，适用于多种电源转换电路。
　　此外，该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。其封装形式也便于安装和散热片连接，提高了热稳定性和可靠性。
　　器件的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，这使得其兼容多种驱动电路设计。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度。
　　在热性能方面，该MOSFET的最大工作温度可达150℃，具有良好的高温稳定性，适用于高温环境下运行的系统。同时，其存储温度范围为-55℃至150℃，适应各种恶劣的工作环境。
　　最后，该器件具有良好的短路和过载能力，增强了系统在异常工况下的稳定性，减少了损坏风险。

应用

PJ61N252MR 适用于多种高功率和高效率的电子系统中，常见的应用包括：
　　在电源适配器和开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用作主开关元件，提供高效的能量转换和稳定的输出电压。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源效率，减少发热。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现高效的电压转换。由于其具备高电流承载能力和低损耗，特别适合用于高功率密度的DC-DC模块设计。
　　在电机驱动电路中，该MOSFET可用于控制电机的启停和方向，其高耐压和大电流能力可确保电机在不同负载条件下的稳定运行。
　　此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）、负载开关、逆变器和工业自动化设备中，作为关键的功率开关元件。其优异的热稳定性和过载能力使其在高温或高负载条件下仍能保持良好的性能。
　　在汽车电子系统中，如车载充电器、电动工具和电源管理模块，该MOSFET也可发挥重要作用，提供可靠和高效的功率控制。