类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　增益（hFE）：110-800（具体数值根据测试条件不同）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

NTA1002T1G晶体管具有多项优异的电气性能和稳定特性，使其在各种电路设计中表现突出。首先，该器件的最大集电极电流为100 mA，能够在低功耗条件下提供稳定的电流放大能力。其次，其集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30 V，适用于多种中低电压应用场景。此外，NTA1002T1G的增益范围较宽，从110到800不等，能够满足不同放大电路对增益的需求。其SOT-23封装结构不仅节省空间，而且具备良好的热稳定性，适合表面贴装工艺（SMT），提高了生产效率和产品可靠性。
　　该晶体管的工作温度范围宽达-55°C至150°C，能够在恶劣环境下稳定运行，适用于工业级应用。同时，NTA1002T1G的低功耗特性（最大功耗为300 mW）使其在便携式设备和节能电路中具有优势。其高可靠性和兼容性也使得该器件可以广泛应用于各类电子系统中，包括信号放大、开关控制、电源管理等领域。

NTA1002T1G晶体管广泛应用于多个电子领域。在工业控制方面，它可用于继电器驱动、传感器信号放大和逻辑电路设计；在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该晶体管常用于电源管理、LED驱动和音频放大等电路；在通信设备中，它可用于射频信号放大和数据传输控制。此外，NTA1002T1G也适用于各类嵌入式系统、微控制器外围电路以及小型电源转换器设计，是一款通用性强、性能稳定的晶体管。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, PN2222A