S-LBZX84C39LT1G 是一种表面贴装封装的齐纳二极管(Zener Diode),由ON Semiconductor生产。齐纳二极管是一种特殊的二极管,它在反向电压达到特定值时会导通,从而提供一个稳定的参考电压。这种特性使其在电压调节、参考电压生成和过压保护电路中广泛应用。S-LBZX84C39LT1G采用SOT-23封装,适合高密度电路设计和自动化装配。
类型:齐纳二极管
封装类型:SOT-23
额定功率:300 mW
齐纳电压:39 V
最大齐纳电流:5 mA
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
最大反向漏电流:100 nA @ 10 V
最大齐纳阻抗:850 Ω
S-LBZX84C39LT1G是一款高性能齐纳二极管,具有出色的电压稳定性和低漏电流特性。其齐纳电压为39 V,在反向击穿区域能够提供稳定的参考电压,适用于高精度电压调节应用。该器件的最大齐纳电流为5 mA,额定功率为300 mW,适合在中低功耗电路中使用。SOT-23封装使其具有较小的体积和良好的热性能,便于在高密度PCB上安装。
该齐纳二极管的工作温度范围从-55°C到+150°C,能够在恶劣的环境条件下稳定工作。其最大反向漏电流仅为100 nA,在10 V反向电压下具有极低的漏电流,有助于提高电路的能效和稳定性。此外,S-LBZX84C39LT1G的齐纳阻抗为850 Ω,确保在不同工作条件下提供稳定的电压输出。
该器件采用无铅封装,符合RoHS环保标准,适用于现代电子产品设计。其高可靠性和稳定性使其成为工业控制、电源管理和测试设备中的理想选择。
S-LBZX84C39LT1G广泛应用于需要稳定参考电压的电路中。常见的应用包括电压调节器、电源管理模块、测试与测量设备、工业控制系统以及过压保护电路。其高精度和稳定性也使其在模拟电路设计中作为参考电压源使用。
BZX84C39, MMSZ4684T1G