时间：2025/6/20 18:52:52
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HH18N7R0B500CT是一款高压大功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于工业电源、电机驱动、逆变器及不间断电源（UPS）等场景。
该芯片具备优异的热性能和电气性能，能够承受较大的电流和电压波动，同时确保系统运行的稳定性和效率。
型号：HH18N7R0B500CT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：700V
最大连续漏极电流(Id)：50A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ典型值@Vgs=15V
总功耗(Ptot)：400W
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247-3
HH18N7R0B500CT采用超结技术，显著降低了导通电阻并提高了开关速度，从而减少了功率损耗。
其高耐压能力（700V）使其能够在严苛的工作环境下保持可靠性，并且支持高达50A的持续电流输出。
该器件还具有较低的栅极电荷(Qg)，有助于提高整体效率，尤其是在高频开关应用中表现优异。
此外，它具有良好的短路保护能力和较强的抗雪崩能力，增强了在异常情况下的稳定性。
由于采用了标准的TO-247-3封装，便于散热设计和安装，适合各种功率密集型应用场景。
HH18N7R0B500CT广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合，包括但不限于以下领域：
1. 工业电源设备，如开关模式电源(SMPS)和直流-直流转换器。
2. 大功率电机驱动和控制系统。
3. 光伏逆变器和其他可再生能源转换装置。
4. 不间断电源(UPS)系统中的核心功率模块。
5. 电动车和混合动力汽车的驱动电路。
6. 照明镇流器和电子负载测试设备。
这款MOSFET凭借其卓越的性能，非常适合于需要高效率、高可靠性的功率转换和驱动任务。
IRFP460, STP50NF75, FDP18N75C
