时间:2025/12/27 9:34:32
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NRS6045T6R3MMGKV是一款由Nippon Chemi-Con(日本贵弥功)生产的高电流、低损耗、表面贴装功率电感器,专为现代高效率电源转换应用设计。该器件属于其NRS系列中的屏蔽型磁性材料电感产品线,采用金属合金粉末核心和一体成型工艺制造,具备出色的抗饱和特性与热稳定性。NRS6045T6R3MMGKV的尺寸为6.0mm x 6.0mm x 4.5mm,适用于空间受限但要求高功率密度的应用场景,如DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)、笔记本电脑主板、服务器电源系统以及高性能FPGA或ASIC的供电电路中。其结构设计有效减少了电磁干扰(EMI),并提高了系统的整体可靠性。该电感具有良好的耐高温性能,能够在恶劣环境条件下稳定运行,符合RoHS和AEC-Q200等工业标准,适合在消费电子、通信设备及工业控制领域广泛使用。
产品类型:功率电感器
封装尺寸:6.0mm x 6.0mm x 4.5mm
电感值:6.3μH ±20%
额定电流(Idc):13.5A(基于温升40°C)
饱和电流(Isat):17A(典型值,电感下降30%)
直流电阻(DCR):15.5mΩ(最大值,20°C)
自谐振频率(SRF):≥18MHz(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +155°C(含自身温升)
存储温度范围:-55°C 至 +165°C
核心材料:金属合金粉末(复合型磁芯)
安装方式:表面贴装(SMD)
端子材质:铜合金,镀锡处理
屏蔽类型:全屏蔽结构,低辐射
热阻特性:约25°C/W(PCB板安装条件)
NRS6045T6R3MMGKV采用先进的金属合金粉末压制成型技术,结合高温固化工艺,实现了极高的磁通密度和优异的抗饱和能力。这种材料体系不仅能够在大直流偏置下保持稳定的电感值,还能显著降低涡流损耗,从而提升整个电源系统的转换效率。其一体成型结构消除了传统绕线电感中存在的气隙问题,使磁场分布更加均匀,并大幅减少漏磁现象。
该电感器具备极低的直流电阻(DCR),仅为15.5mΩ最大值,有助于降低导通损耗,减少发热,提高能效表现。在实际应用中,即使在持续高负载条件下也能维持较低的温升,确保长期工作的可靠性。此外,其高达17A的饱和电流和13.5A的额定电流使其非常适合用于大电流输出的降压型DC-DC变换器中,例如为CPU、GPU或DDR内存供电的多相VRM架构。
全屏蔽封装设计是该器件的一大亮点,能够有效抑制电磁干扰(EMI)向外辐射,避免对周边敏感电路造成影响,同时增强抗外界干扰的能力。这对于高频开关电源尤为重要,特别是在紧凑布局的主板或便携式设备中,可简化EMI滤波电路的设计,节省额外元件成本。
器件的工作温度范围宽达-55°C至+155°C,适应严苛的环境条件,且在高温环境下仍能保持良好的电气性能。其端子经过镀锡处理,具有优良的焊接性和耐腐蚀性,支持回流焊工艺,兼容自动化贴片生产线。整体结构坚固耐用,机械强度高,抗震抗冲击能力强,适合工业级和汽车级应用场景。
此外,该型号符合RoHS环保指令,并通过了AEC-Q200可靠性认证,表明其具备车规级品质,可用于车载信息娱乐系统、ADAS电源模块等对可靠性要求极高的场合。综合来看,NRS6045T6R3MMGKV是一款高性能、高可靠性的功率电感解决方案,适用于追求小型化、高效能与高稳定性的现代电源设计。
广泛应用于各类高电流、高效率的DC-DC转换器电路中,尤其适合作为主板上的电压调节模块(VRM)中的储能电感,服务于高性能处理器(CPU/GPU)、现场可编程门阵列(FPGA)和专用集成电路(ASIC)的供电需求。在笔记本电脑、台式机、服务器及工作站等计算设备中,该电感常被用于多相 buck 转换器拓扑结构中,以实现快速动态响应和高效能量转换。
此外,它也适用于通信基础设施设备中的中间总线转换器(IBC)和负载点电源(POL),如基站、路由器和交换机等,提供稳定可靠的低压大电流输出。在工业控制系统、PLC控制器、伺服驱动器以及医疗电子设备中,该器件凭借其高耐温性和强抗干扰能力,保障复杂电磁环境下电源系统的稳定运行。
由于其满足AEC-Q200标准,NRS6045T6R3MMGKV也可用于汽车电子系统,包括车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)、车身控制模块以及电动汽车的电池管理系统(BMS)中的辅助电源部分。其紧凑的尺寸和强大的电流处理能力使其成为现代高密度电源模块的理想选择。
NRS6045T6R3MMTRF
NRS6045T6R3MMGK
NR6045A-6R3M