型号：DDZ9688-7
　　类型：双P沟道MOSFET
　　封装：SOT-363 (SC-88)
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：-1.8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-3.6A
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -4.5V：44mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -2.5V：60mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -1.8V：85mΩ
　　阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：270pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：未指定
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻结到环境(θJA)：250°C/W
　　热阻结到外壳(θJC)：100°C/W

DDZ9688-7采用先进的TrenchFET工艺制造，具备出色的电学性能和可靠性，特别适合在低压、低功耗环境中作为开关元件使用。其核心优势之一是极低的导通电阻，在VGS = -4.5V时RDS(on)仅为44mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并减少发热问题。同时，即使在较低的栅极驱动电压如-2.5V或-1.8V条件下，其导通电阻仍保持在合理范围内（分别为60mΩ和85mΩ），确保了良好的逻辑电平兼容性，适用于3.3V、2.5V甚至1.8V的数字控制信号直接驱动，无需额外电平转换电路。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于较小的输入电容（典型值270pF），能够实现高频开关操作而不会引入过多的驱动损耗。这对于需要动态电源管理的应用（例如背光控制、LCD偏压生成或多路电源切换）非常有利。双P沟道结构使得它可以方便地用于互补对称电路配置，或者独立作为两个独立的开关使用，提升了设计灵活性。每个通道均可承受高达-1.8A的连续漏极电流（25°C时），并且能短时承受-3.6A的脉冲电流，具备一定的过载能力。
　　DDZ9688-7的SOT-363封装仅有六个引脚，占用PCB面积极小，适合高密度布局要求。该封装还具备良好的散热性能，结合合理的PCB布线设计可有效将热量传导至周围铜箔，从而提升长期工作的稳定性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件，包括工业级和汽车级应用的部分场景。此外，它具备良好的抗静电能力（HBM ESD额定值通常可达±2kV以上），增强了在装配和使用过程中的鲁棒性。整体而言，DDZ9688-7是一款集高性能、小型化与高可靠性于一体的双P沟道MOSFET解决方案。

DDZ9688-7广泛应用于各类需要高效、小型化电源开关控制的电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的电源路径管理，例如智能手机和平板电脑中用于电池与主系统之间的连接控制，通过MOSFET实现上电时序管理和热插拔保护。它也常被用作负载开关，控制外设模块（如Wi-Fi模组、摄像头、传感器等）的供电通断，以降低待机功耗并优化电源分配。
　　在显示驱动领域，该器件可用于LCD或OLED面板的电源开启/关闭控制，配合定时电路实现软启动功能，避免电流冲击。此外，在音频设备如TWS无线耳机中，DDZ9688-7可用于左右耳单元的独立供电管理，提升能效表现。由于其具备良好的直流参数一致性，也可用于构建简单的镜像电流源或电平移位电路。
　　工业控制和通信设备中，该MOSFET适用于多路信号切换、I/O扩展器后的电源门控，以及现场可编程门阵列（FPGA）或微控制器单元（MCU）的辅助电源控制。其双通道结构允许在一个封装内完成两个相关功能的控制，简化电路设计并节省空间。在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电路径的选择与隔离，增强安全性。总体来看，DDZ9688-7凭借其紧凑封装、低RDS(on)和高可靠性，成为现代低电压电源管理设计中的理想选择之一。

DMG2302UK-7
　　FDC6322P
　　SI3456DV-T1-E3
　　NTR4101PT1G
　　MAX22006KAUAL