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RB481YT2R 发布时间 时间:2025/12/25 12:50:54 查看 阅读:10

RB481YT2R是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的双极性晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的小信号晶体管系列。该器件采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装,适用于高密度印刷电路板设计,广泛应用于便携式电子设备、通信模块、电源管理电路以及各种消费类电子产品中。RB481YT2R为NPN型晶体管,具有良好的电流增益线性度和快速开关响应特性,适合在低电压、低功率环境下工作。该器件在制造时遵循严格的品质控制标准,具备较高的可靠性和稳定性,并符合RoHS环保要求,无铅且不含有害物质。其名称中的"T2R"通常表示卷带包装形式,便于自动化贴片生产。RB481YT2R常用于替代其他标准小信号NPN晶体管,在需要紧凑布局和高效性能的设计中表现出色。由于其优异的直流电流增益(hFE)和较低的饱和电压,该器件能够在放大电路中提供清晰的信号保真度,同时在数字开关电路中实现高效的通断控制。此外,该晶体管在温度变化范围较大的环境中仍能保持稳定的电气性能,适合工业级应用需求。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(Pd):200mW
  直流电流增益(hFE):120~700
  过渡频率(fT):250MHz
  工作结温(Tj):-55℃~+150℃
  封装:SOT-23(SC-59)

特性

RB481YT2R具备优异的高频响应能力和稳定的直流电流增益特性,使其在小信号放大应用中表现卓越。其典型的过渡频率(fT)高达250MHz,意味着该晶体管可以在射频前端、音频前置放大器以及高速开关电路中有效工作,能够处理较高频率的信号而不显著损失增益。该器件的直流电流增益(hFE)范围宽泛,从120到700不等,这表明它在不同偏置条件下都能提供良好的放大能力,适应多种电路设计需求。这种宽增益分布也使得在批量生产中可以灵活匹配不同增益档位的晶体管以优化整体系统性能。
  该晶体管的饱和压降低,典型值在IC=10mA、IB=0.5mA时仅为0.15V左右,这一特性对于提升开关效率、降低功耗至关重要,特别是在电池供电设备中可延长续航时间。此外,其最大集电极电流为100mA,足以驱动继电器、LED或小型逻辑门电路,满足大多数低功率负载的驱动需求。RB481YT2R采用SOT-23小型封装,尺寸紧凑,占用PCB面积小,非常适合高集成度的现代电子产品,如智能手机、可穿戴设备和无线传感器节点。
  热稳定性方面,该器件的工作结温范围可达-55℃至+150℃,确保在极端环境温度下仍能可靠运行。内部结构经过优化,具有良好的热传导路径,有助于热量迅速散发,防止因局部过热导致性能下降或损坏。ROHM在制造过程中采用了先进的晶圆工艺和严格的筛选流程,保证了产品的一致性和长期可靠性。此外,该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,可用于部分车载电子系统。其无铅、无卤素的设计也符合当前环保法规要求,支持绿色制造理念。

应用

RB481YT2R广泛应用于各类低功率模拟与数字电路中。在便携式消费类电子产品中,常用于音频信号放大、麦克风前置放大器以及耳机驱动电路,凭借其高增益和低噪声特性,能够有效提升音质表现。在通信设备中,该晶体管可用于无线模块的射频开关或小信号放大单元,例如蓝牙、Wi-Fi或ZigBee收发器中的缓冲级设计。
  在电源管理领域,RB481YT2R常被用作线性稳压器的误差放大器或反馈控制元件,也可作为MOSFET的驱动器,实现对功率器件的快速开启与关断。在工业控制和自动化系统中,它可用于光电耦合器的输出级放大、传感器信号调理电路或逻辑电平转换器,帮助实现微弱信号的精确检测与传输。
  此外,该器件还适用于LED驱动电路,通过基极输入的小电流信号控制集电极侧较大电流的通断,实现对指示灯或背光灯的高效调控。在嵌入式系统中,RB481YT2R可作为微控制器I/O口的扩展驱动,用于驱动蜂鸣器、小型继电器或其他外围设备。由于其封装小巧且易于自动化装配,因此在大规模生产中具有成本优势和技术便利性,是工程师在设计通用开关与放大功能时常用的优选器件之一。

替代型号

[
   "MMBT3904",
   "BC847B",
   "2SC3838",
   "KSC3838",
   "FMMT3904"
  ]

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RB481YT2R产品

RB481YT2R参数

  • 产品培训模块Diodes Overview
  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)430mV @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电30µA @ 10V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)100mA
  • 电压 - (Vr)(最大)30V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型肖特基
  • 速度小信号 =
  • 二极管配置2 个独立式
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75-4,EMD4
  • 供应商设备封装SC-75A
  • 包装带卷 (TR)