型号：K2793
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：4.2A
　　脉冲漏极电流IDM：12A
　　导通电阻RDS(on)：35mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压Vth：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：520pF @ VDS=15V
　　输出电容Coss：145pF @ VDS=15V
　　反向传输电容Crss：40pF @ VDS=15V
　　栅极电荷Qg：12nC @ VGS=10V
　　功耗PD：1.25W
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

K2793具有优异的导通性能和开关速度，这得益于其采用的先进沟槽型MOSFET工艺结构。该结构通过优化芯片内部的沟道设计，显著降低了单位面积下的导通电阻RDS(on)，从而在相同封装尺寸下实现了更高的电流处理能力和更低的功率损耗。在VGS=10V时，其典型RDS(on)仅为35mΩ，在轻负载或中等负载条件下表现出色，适合用于低电压、高效率的电源管理系统。同时，即使在VGS=4.5V的较低驱动电压下，其RDS(on)仍可保持在45mΩ左右，表明其具备良好的低压驱动兼容性，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用环境，如微控制器I/O口控制的开关电路。
　　另一个关键特性是其出色的热稳定性与可靠性。K2793的最高工作结温可达+150°C，并具备良好的热阻特性，能够在有限的散热条件下长时间稳定运行。这对于空间受限且通风不良的便携式设备尤为重要。此外，该器件的栅氧化层经过严格工艺控制，确保了栅源间耐压能力达到±20V，有效防止因瞬态过压导致的栅极击穿问题。输入电容、输出电容及反向传输电容均处于合理水平，使得其在高频开关应用中能够保持较低的驱动损耗和电磁干扰（EMI）。
　　K2793还具备快速开关响应能力，栅极电荷Qg仅为12nC（@VGS=10V），这意味着驱动电路所需提供的电荷量较少，有利于降低驱动IC的功耗并提升系统整体效率。同时，较低的Crss（反向传输电容）有助于抑制米勒效应，减少开关过程中的误触发风险，提高电路稳定性。综合来看，K2793凭借其低导通电阻、良好热性能、可靠栅极设计和适中的电容参数，成为众多中小型功率开关应用的理想选择。

K2793广泛应用于各类中小功率电子设备中的开关与功率控制环节。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等设备内的电池充放电控制电路，利用其低导通电阻特性来减少能量损耗，延长续航时间。在DC-DC升压或降压转换器中，K2793可作为同步整流开关使用，替代传统二极管以提升转换效率，尤其适用于输入电压较低（如3.7V锂电池供电）的系统。
　　此外，该器件也常用于LED背光驱动和恒流源电路中，作为电流调节开关元件，凭借其快速响应能力和稳定导通特性，确保LED亮度均匀且无闪烁。在电机驱动方面，K2793可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的低端开关，实现精确的方向控制与调速功能，适用于玩具、小型机器人或家用电器中的小型马达控制。
　　工业与自动化领域中，K2793可用于传感器模块、继电器驱动电路或I/O扩展板中的固态开关，提供比机械继电器更快的响应速度和更长的使用寿命。由于其采用SOT-23小型表面贴装封装，特别适合高密度印刷电路板（PCB）布局，满足现代电子产品对小型化和轻薄化的需求。同时，其良好的温度适应性和电气稳定性也使其适用于环境条件较为严苛的户外设备或车载电子系统中的辅助电源管理部分。总之，K2793是一款多功能、高性价比的N沟道MOSFET，适用于多种低电压、中等电流的开关应用场景。

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　　 "TK2793N,S",
　　 "FS8205A",
　　 "AO3400",
　　 "SI2302"
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