时间：2025/8/2 5:59:26
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PMPB15XPA是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专为高效率、高频率开关应用设计，广泛应用于电源转换系统、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。PMPB15XPA采用先进的PowerMESH技术，具有低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性，能够在高功率密度和紧凑空间条件下稳定工作。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：15A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：9.5mΩ（最大值，Vgs=4.5V）
功率耗散（Ptot）：3.1W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
安装类型：表面贴装
PMPB15XPA具备多项优良特性，适用于高要求的功率管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下具有最小的功率损耗，从而提高整体效率。该器件在Vgs=4.5V时即可实现完全导通，适用于低压驱动电路。
该MOSFET采用PowerFLAT 5x6封装，具有优异的热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计。此外，其高电流能力和良好的热稳定性使其在高温环境下仍能保持稳定运行。
在电气性能方面，PMPB15XPA具有快速开关能力和低栅极电荷（Qg），使其适用于高频开关电路。其短路耐受能力也较强，能够在瞬态条件下提供一定的保护能力。
在可靠性方面，PMPB15XPA通过了严格的工业级测试，具有良好的ESD（静电放电）保护能力，能够在恶劣环境中稳定运行。
PMPB15XPA广泛应用于多种功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器和工业自动化设备。其高效率和低导通电阻特性使其特别适用于需要高电流能力和紧凑封装的电源管理模块。此外，它也常用于便携式电子设备中的高效能电源管理系统。
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