型号：P3500SCL
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8L
　　通道数：单通道
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：18 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：70 A
　　导通电阻RDS(on)@VGS=10V：4.5 mΩ
　　导通电阻RDS(on)@VGS=4.5V：6.0 mΩ
　　导通电阻RDS(on)@VGS=2.5V：9.0 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）@ID=250μA：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）@VDS=15V：1900 pF
　　输出电容（Coss）@VDS=15V：600 pF
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）

P3500SCL采用Vishay先进的TrenchFET技术，这项技术通过优化晶圆内部的沟道结构，显著降低了单位面积上的导通电阻，从而实现了卓越的电流传导能力与极低的功率损耗。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为4.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅为6.0mΩ，这使得它即使在较低的驱动电压下也能保持优异的性能，特别适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如微控制器控制的开关电路。此外，其在VGS=2.5V下的导通电阻仅为9.0mΩ，进一步扩展了其在低压控制系统中的适用性，例如3.3V或2.5V供电的嵌入式系统。
　　该MOSFET具备高达18A的连续漏极电流能力（在25°C下），并可承受70A的脉冲电流，展现了强大的电流处理能力，适合用于瞬态负载较大的应用场景，如电机启动或大容量电容充电过程。其输入电容（Ciss）为1900pF，输出电容（Coss）为600pF，这些电容参数经过优化，能够在保证快速开关速度的同时减少开关过程中的能量损耗，提升整体系统效率。器件的阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保了可靠的开启特性，并避免了因阈值过高导致的驱动困难问题。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅节省PCB空间，还通过底部散热焊盘有效传导热量，提高了热稳定性。该封装无需通孔，支持回流焊工艺，便于自动化生产。P3500SCL的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其能够在极端环境温度下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等严苛应用领域。此外，器件符合RoHS和无卤素标准，体现了Vishay对环境保护和产品安全的承诺。

P3500SCL因其低导通电阻、高电流能力和紧凑封装，广泛应用于多种高性能电源管理系统中。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，它常被用作电池保护电路中的主开关，能够高效地控制电池充放电路径，防止过流和短路故障。在DC-DC转换器拓扑结构中，尤其是同步降压（Buck）转换器中，P3500SCL可作为低边同步整流开关，显著降低传导损耗，提高转换效率，延长电池续航时间。
　　在电机驱动应用中，该MOSFET可用于H桥电路中的低端驱动，控制直流电机或步进电机的正反转及调速功能。其快速的开关响应和低RDS(on)有助于减少发热，提升驱动系统的可靠性。此外，P3500SCL也适用于热插拔控制器和负载开关电路，用于平稳地接通或断开系统电源，避免浪涌电流对系统造成冲击。
　　在服务器和通信设备的电源模块中，P3500SCL可用于多相VRM（电压调节模块）设计，配合其他MOSFET实现高效的电压调节。其良好的热性能和高电流承载能力使其能够在高密度电源板上长期稳定运行。此外，该器件还可用于LED驱动、USB电源开关、电池管理系统（BMS）以及各类工业控制板的电源切换电路中，是现代高效能、小型化电子系统中不可或缺的关键元件。

SiSS051DN-T1-GE3
　　IRLHS6242TRPBF
　　AOZ5242AIJ