ND411226 时间：2025/8/7 7:27:27 阅读：24

ND411226 是一款由 NDT（Nan Yang Semiconductor）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备优异的导通性能和高耐压能力，适用于各类开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。ND411226 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，便于散热和集成。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：40mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / DPAK

特性

ND411226 采用先进的平面工艺技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极电压下仅 40mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　其漏源耐压高达 60V，能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于多种中低压功率转换场合。
　　器件的连续漏极电流能力达到 30A，具备较强的电流承载能力，适用于高功率密度设计。
　　内置的快速恢复二极管特性使得 ND411226 在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗并提高了响应速度。
　　此外，ND411226 的封装设计（如 TO-220 或 DPAK）有助于高效散热，提升了器件在高功率环境下的可靠性与稳定性，适合工业级和车载电子应用。
　　该器件还具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温和高负载条件下长时间运行，确保系统的稳定性和安全性。

应用

ND411226 广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效功率转换的场合。其典型应用包括开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。
　　在电源管理领域，ND411226 可用于构建高效率的降压（Buck）或升压（Boost）转换器，实现能量的高效传输与调节。
　　在电机控制和驱动电路中，该 MOSFET 可作为功率开关元件，控制电机的启停与调速，表现出良好的动态响应和稳定性。
　　同时，ND411226 的高电流能力和低导通损耗也使其适用于大功率 LED 驱动、UPS（不间断电源）以及新能源汽车中的功率模块设计。
　　由于其良好的热性能和高可靠性，ND411226 也常被用于车载电子系统、工业变频器以及智能家电中的电源模块中。